國博電子：硅基氮化鎵功放芯片成功量產(chǎn)應(yīng)用 累計(jì)交付數(shù)量超100萬只

每經(jīng)AI快訊，10月29日，國博電子(688375.SH)公告稱，公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，在手機(jī)等終端中成功量產(chǎn)應(yīng)用，累計(jì)交付數(shù)量超100萬只。硅基氮化鎵功放芯片具備新型三代半導(dǎo)體材料的性能優(yōu)勢，將隨著硅基氮化鎵功放芯片產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)進(jìn)步和規(guī)模擴(kuò)張，進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品優(yōu)勢并持續(xù)提升。預(yù)計(jì)公司新產(chǎn)品將持續(xù)對(duì)現(xiàn)有砷化鎵終端功放產(chǎn)品形成替代，并有望在終端射頻功放領(lǐng)域全頻段、全場景推廣應(yīng)用，該產(chǎn)品系列有望為公司營收提供第二增長曲線。